Биполярный транзистор 2SD2679 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2679
Маркировка: XZ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: MPT3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SD2679 Datasheet (PDF)
2sd2679.pdf

2SD2679 Transistors 2A / 30V Bipolar transistor 2SD2679 Applications Dimensions (Unit : mm) Low frequency amplification, driver MPT3 Features 1) Collector current is high. 2) Low collector-emitter saturation voltage. (VCE(sat) 350mV at IC = 1.5A, IB = 75mA) (1)Base(2)Collector Structure (3)Emitter Abbreviated symbol : XZNPN epitaxial planar silicon transistor
2sd2670.pdf

2SD2670 Transistors Low frequency amplifier 2SD2670 External dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier TSMT3Driver 1.0MAX2.90.85 0.4 0.7( )3 Features 1) A collector current is large. ( ) ( )1 22) VCE(sat) : max.250mV 0.95 0.950.16 At lc=1.5A / lB=30mA 1.9(1) Base(2) EmitterEach lead has same dimensions (3) Collector Abso
2sd2671.pdf

2SD2671 Transistors Low frequency amplifier 2SD2671 External dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier TSMT3Driver 1.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) : max. 370mV (1) (2)0.95 0.95 At lc=1.5A / lB=75mA 0.161.9(1) Base(2) Emitter Each lead has same dimensions(3) Collector Absolute maxi
2sd2678.pdf

2SD2678 Transistors 3A / 12V Bipolar transistor 2SD2678 Applications Dimensions (Unit : mm) Low frequency amplification, driver MPT3 Features 1) Collector current is high. 2) Low collector-emitter saturation voltage. (VCE(sat) 250mV at IC = 1.5A, IB = 30mA) (1)Base(2)Collector Structure (3)Emitter Abbreviated symbol : XXNPN epitaxial planar silicon transistor
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: TIP542 | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | FXT451SM | 2N4314
History: TIP542 | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | FXT451SM | 2N4314



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115