2SD2679. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2679

Маркировка: XZ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: MPT3

 Аналоги (замена) для 2SD2679

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2679 даташит

 ..1. Size:116K  rohm
 2sd2679.pdf pdf_icon

2SD2679

2SD2679 Transistors 2A / 30V Bipolar transistor 2SD2679 Applications Dimensions (Unit mm) Low frequency amplification, driver MPT3 Features 1) Collector current is high. 2) Low collector-emitter saturation voltage. (VCE(sat) 350mV at IC = 1.5A, IB = 75mA) (1)Base (2)Collector Structure (3)Emitter Abbreviated symbol XZ NPN epitaxial planar silicon transistor

 8.1. Size:59K  rohm
 2sd2670.pdf pdf_icon

2SD2679

2SD2670 Transistors Low frequency amplifier 2SD2670 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) A collector current is large. ( ) ( ) 1 2 2) VCE(sat) max.250mV 0.95 0.95 0.16 At lc=1.5A / lB=30mA 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector Abso

 8.2. Size:66K  rohm
 2sd2671.pdf pdf_icon

2SD2679

2SD2671 Transistors Low frequency amplifier 2SD2671 External dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier TSMT3 Driver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) max. 370mV (1) (2) 0.95 0.95 At lc=1.5A / lB=75mA 0.16 1.9 (1) Base (2) Emitter Each lead has same dimensions (3) Collector Absolute maxi

 8.3. Size:76K  rohm
 2sd2678.pdf pdf_icon

2SD2679

2SD2678 Transistors 3A / 12V Bipolar transistor 2SD2678 Applications Dimensions (Unit mm) Low frequency amplification, driver MPT3 Features 1) Collector current is high. 2) Low collector-emitter saturation voltage. (VCE(sat) 250mV at IC = 1.5A, IB = 30mA) (1)Base (2)Collector Structure (3)Emitter Abbreviated symbol XX NPN epitaxial planar silicon transistor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2646, 2SD2648, 2SD2649, 2SD2650, 2SD2651, 2SD2659, 2SD2663, 2SD2678, BC327, 2SD2687S, 2SD2688LS, 2SD2689LS, CBSL100, NESG2101M05, NESG2101M16, NESG210719, NESG2107M33