NESG2030M04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NESG2030M04

Маркировка: T16

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: M04 SOT343

 Аналоги (замена) для NESG2030M04

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NESG2030M04 даташит

 ..1. Size:428K  nec
 nesg2030m04.pdf pdf_icon

NESG2030M04

NPN SiGe RF TRANSISTOR NESG2030M04 NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES SiGe TECHNOLOGY fT = 60 GHz Process LOW NOISE FIGURE NF = 0.9 dBm at 2 GHz HIGH MAXIMUM STABLE GAIN MSG = 20 dB at 2 GHz NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance M04 DESCRIPTION NEC's NESG2030M04 is fabric

 7.1. Size:784K  nec
 nesg2031m05.pdf pdf_icon

NESG2030M04

NPN SiGe RF TRANSISTOR NESG2031M05 NEC's NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY VCEO = 5 V (Absolute Maximum) LOW NOISE FIGURE NF = 0.8 dBm at 2 GHz NF = 1.3 dBm at 5.2 GHz HIGH MAXIMUM STABLE GAIN MSG = 21.5 dB at 2 GHz LOW PROFILE M05 PACKAGE SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead st

 7.2. Size:223K  nec
 nesg2031m16.pdf pdf_icon

NESG2030M04

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NESG2031M16 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz

 8.1. Size:315K  nec
 nesg204619.pdf pdf_icon

NESG2030M04

PRELIMINARY DATA SHEET NEC's NPN SiGe TRANSISTOR NESG204619 FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURES IDEAL FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION APPLICATIONS NF = 0.8 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, F = 2 GHZ HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY FOR SIGE TRANSISTORS VCEO (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 5.0 V 3-PIN SUPER MINIMOLD (19) PACKAGE ORD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NESG3031M14, NESG3032M14, NESG3033M14, NESG4030M14, NESG2046M33, NESG204619, NESG2031M16, NESG2031M05, 8550, NESG2021M16, NESG2021M05, 2N4910X, 2N4911X, 2N6245, 2N6989, 2N6989U, 2N6990