FJA3835. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJA3835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 210 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-3P

 Аналоги (замена) для FJA3835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJA3835 даташит

 ..1. Size:62K  fairchild semi
 fja3835.pdf pdf_icon

FJA3835

FJA3835 Power Amplifier High Current Capability IC=8A High Power Dissipation Wide S.O.A TO-3P 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current (DC

Другие транзисторы: FMB2227A, FFB3904, FMB3904, FFB3906, FMB3906, FFB3946, FMB3946, FFB5551, 431, FJAF4210, FJAF4310, FJC1308, FJC1386, FJC1963, FJC2383, FJC690, FJC790