Справочник транзисторов. FJN3308R

 

Биполярный транзистор FJN3308R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN3308R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN3308R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN3308R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  fairchild semi
fjn3308r.pdfpdf_icon

FJN3308R

FJN3308RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K, R2=22K) Complement to FJN4308RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value UnitsVC

 8.1. Size:37K  fairchild semi
fjn3307r.pdfpdf_icon

FJN3308R

FJN3307RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJN4307RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.2. Size:69K  fairchild semi
fjn3305r.pdfpdf_icon

FJN3308R

FJN3305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN4305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.3. Size:69K  fairchild semi
fjn3301r.pdfpdf_icon

FJN3308R

FJN3301RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJN4301RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

Другие транзисторы... FJN3301R , FJN3302R , FJN3303 , FJN3303R , FJN3304R , FJN3305R , FJN3306R , FJN3307R , AC125 , FJN3309R , FJN3310R , FJN3311R , FJN3312R , FJN3313R , FJN3314R , FJN3315R , FJN4301R .

History: C5T4997 | NKT420

 

 
Back to Top

 


 
.