FJN3308R - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

FJN3308R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN3308R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TO-92

Аналоги (замена) для FJN3308R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

FJN3308R даташит

..1. Size:36K fairchild semi
fjn3308r.pdf pdf_icon

FJN3308R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=22K ) Complement to FJN4308R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VC

8.1. Size:37K fairchild semi
fjn3307r.pdf pdf_icon

FJN3307R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to FJN4307R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

8.2. Size:69K fairchild semi
fjn3305r.pdf pdf_icon

FJN3305R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJN4305R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

8.3. Size:69K fairchild semi
fjn3301r.pdf pdf_icon

FJN3301R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=4.7K ) Complement to FJN4301R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units