Справочник транзисторов. FJN4302R

 

Биполярный транзистор FJN4302R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJN4302R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.5 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 20
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для FJN4302R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN4302R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  fairchild semi
fjn4302r.pdfpdf_icon

FJN4302R

FJN4302RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJN3302RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.1. Size:69K  fairchild semi
fjn4305r.pdfpdf_icon

FJN4302R

FJN4305RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJN3305RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

 8.2. Size:36K  fairchild semi
fjn4303r.pdfpdf_icon

FJN4302R

FJN4303RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K, R2=22K) Complement to FJN3303RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

 8.3. Size:70K  fairchild semi
fjn4306r.pdfpdf_icon

FJN4302R

FJN4306RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K, R2=47K) Complement to FJN3306RTO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCVC

Другие транзисторы... FJN3309R , FJN3310R , FJN3311R , FJN3312R , FJN3313R , FJN3314R , FJN3315R , FJN4301R , BD140 , FJN4303R , FJN4304R , FJN4305R , FJN4306R , FJN4307R , FJN4308R , FJN4309R , FJN4310R .

 

 
Back to Top

 


 
.