FJN4302R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJN4302R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.5 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 20

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для FJN4302R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJN4302R даташит

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 fjn4302r.pdf pdf_icon

FJN4302R

FJN4302R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K , R2=10K ) Complement to FJN3302R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

 8.1. Size:69K  fairchild semi
 fjn4305r.pdf pdf_icon

FJN4302R

FJN4305R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJN3305R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C V

 8.2. Size:36K  fairchild semi
 fjn4303r.pdf pdf_icon

FJN4302R

FJN4303R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K , R2=22K ) Complement to FJN3303R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

 8.3. Size:70K  fairchild semi
 fjn4306r.pdf pdf_icon

FJN4302R

FJN4306R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K , R2=47K ) Complement to FJN3306R TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJN3309R, FJN3310R, FJN3311R, FJN3312R, FJN3313R, FJN3314R, FJN3315R, FJN4301R, S8050, FJN4303R, FJN4304R, FJN4305R, FJN4306R, FJN4307R, FJN4308R, FJN4309R, FJN4310R