FJNS3207R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJNS3207R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: TO-92S

 Аналоги (замена) для FJNS3207R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS3207R даташит

 ..1. Size:37K  fairchild semi
 fjns3207r.pdf pdf_icon

FJNS3207R

FJNS3207R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to FJNS4207R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.1. Size:69K  fairchild semi
 fjns3201r.pdf pdf_icon

FJNS3207R

FJNS3201R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=4.7K ) Complement to FJNS4201R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.2. Size:65K  fairchild semi
 fjns3204r.pdf pdf_icon

FJNS3207R

FJNS3204R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJNS4204R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C V

 7.3. Size:69K  fairchild semi
 fjns3205r.pdf pdf_icon

FJNS3207R

FJNS3205R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJNS4205R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJN5471, FJN965, FJNS3201R, FJNS3202R, FJNS3203R, FJNS3204R, FJNS3205R, FJNS3206R, A733, FJNS3208R, FJNS3210R, FJNS3211R, FJNS3212R, FJNS3213R, FJNS3214R, FJNS3215R, FJNS4201R