Справочник транзисторов. FJNS3208R

 

Биполярный транзистор FJNS3208R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJNS3208R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: TO-92S
 

 Аналог (замена) для FJNS3208R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS3208R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  fairchild semi
 fjns3208r.pdf pdf_icon

FJNS3208R

FJNS3208RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K, R2=22K) Complement to FJNS4208RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.1. Size:69K  fairchild semi
 fjns3201r.pdf pdf_icon

FJNS3208R

FJNS3201RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJNS4201RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsC

 7.2. Size:65K  fairchild semi
 fjns3204r.pdf pdf_icon

FJNS3208R

FJNS3204RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJNS4204RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitSymbol Parameter Value UnitsCV

 7.3. Size:69K  fairchild semi
 fjns3205r.pdf pdf_icon

FJNS3208R

FJNS3205RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJNS4205RTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Equivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJN965 , FJNS3201R , FJNS3202R , FJNS3203R , FJNS3204R , FJNS3205R , FJNS3206R , FJNS3207R , A940 , FJNS3210R , FJNS3211R , FJNS3212R , FJNS3213R , FJNS3214R , FJNS3215R , FJNS4201R , FJNS4202R .

History: BLY30 | CMC7010A | BF306 | 50C02MH | 2SC3952 | GF502 | DDTB122JC

 

 
Back to Top

 


 
.