FJNS3211R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJNS3211R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92S

 Аналоги (замена) для FJNS3211R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJNS3211R даташит

 ..1. Size:26K  fairchild semi
 fjns3211r.pdf pdf_icon

FJNS3211R

FJNS3211R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJNS4211R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto

 7.1. Size:26K  fairchild semi
 fjns3212r.pdf pdf_icon

FJNS3211R

FJNS3212R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJNS4212R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Symbol Parameter Value Units VCBO Collecto

 7.2. Size:27K  fairchild semi
 fjns3213r.pdf pdf_icon

FJNS3211R

FJNS3213R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to FJNS4213R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C

 7.3. Size:32K  fairchild semi
 fjns3210r.pdf pdf_icon

FJNS3211R

FJNS3210R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJNS4210R TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit Symbol Parameter Value Units C VCBO Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJNS3202R, FJNS3203R, FJNS3204R, FJNS3205R, FJNS3206R, FJNS3207R, FJNS3208R, FJNS3210R, MJE340, FJNS3212R, FJNS3213R, FJNS3214R, FJNS3215R, FJNS4201R, FJNS4202R, FJNS4203R, FJNS4204R