FJPF9020. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJPF9020

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO-220F

 Аналоги (замена) для FJPF9020

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJPF9020 даташит

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 fjpf9020.pdf pdf_icon

FJPF9020

FJPF9020 Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors High Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO = -550V High DC Current Gain hFE = 550 @ VCE = -4V, IC = -1A (Typ.) Industrial Use TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Darlington Transistor Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted C Symbol Par

Другие транзисторы: FJNS4211R, FJNS4212R, FJNS4213R, FJNS4214R, FJP5321, FJP5355, FJP9100, FJPF5321, A1013, FJT44, FJV1845, FJV3101R, FJV3102R, FJV3103R, FJV3104R, FJV3105R, FJV3106R