FJT44. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJT44

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для FJT44

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJT44 даташит

 ..1. Size:115K  fairchild semi
 fjt44.pdf pdf_icon

FJT44

December 2009 FJT44 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features High Voltage Transistor 3 2 1 SOT-223 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 300 mA PC Collector Dissipation (TA

 0.1. Size:322K  onsemi
 fjt44tf fjt44ktf.pdf pdf_icon

FJT44

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJNS4212R, FJNS4213R, FJNS4214R, FJP5321, FJP5355, FJP9100, FJPF5321, FJPF9020, 2SB817, FJV1845, FJV3101R, FJV3102R, FJV3103R, FJV3104R, FJV3105R, FJV3106R, FJV3107R