FJV3102R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJV3102R

Маркировка: R22

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FJV3102R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3102R даташит

 ..1. Size:56K  fairchild semi
 fjv3102r.pdf pdf_icon

FJV3102R

FJV3102R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=10K , R2=10K ) Complement to FJV4102R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R22 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:55K  fairchild semi
 fjv3108r.pdf pdf_icon

FJV3102R

FJV3108R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=47K , R2=22K ) Complement to FJV4108R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R28 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:84K  fairchild semi
 fjv3104r.pdf pdf_icon

FJV3102R

FJV3104R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit, 3 Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJV4104R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R24 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.3. Size:88K  fairchild semi
 fjv3105r.pdf pdf_icon

FJV3102R

FJV3105R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJV4105R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R25 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise note

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJP5321, FJP5355, FJP9100, FJPF5321, FJPF9020, FJT44, FJV1845, FJV3101R, D880, FJV3103R, FJV3104R, FJV3105R, FJV3106R, FJV3107R, FJV3108R, FJV3109R, FJV3110R