Справочник транзисторов. FJV3108R

 

Биполярный транзистор FJV3108R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV3108R
   Маркировка: R28
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV3108R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3108R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  fairchild semi
 fjv3108r.pdf pdf_icon

FJV3108R

FJV3108RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=47K, R2=22K) Complement to FJV4108R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R28BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.1. Size:84K  fairchild semi
 fjv3104r.pdf pdf_icon

FJV3108R

FJV3104RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit Driver Circuit,3 Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJV4104R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R24BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.2. Size:56K  fairchild semi
 fjv3102r.pdf pdf_icon

FJV3108R

FJV3102RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJV4102R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R22BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.3. Size:88K  fairchild semi
 fjv3105r.pdf pdf_icon

FJV3108R

FJV3105RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJV4105R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R25BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV1845 , FJV3101R , FJV3102R , FJV3103R , FJV3104R , FJV3105R , FJV3106R , FJV3107R , D965 , FJV3109R , FJV3110R , FJV3111R , FJV3112R , FJV3113R , FJV3114R , FJV3115R , FJV4101R .

 

 
Back to Top

 


 
.