Справочник транзисторов. FJV3114R

 

Биполярный транзистор FJV3114R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV3114R
   Маркировка: R34
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV3114R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3114R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  fairchild semi
 fjv3114r.pdf pdf_icon

FJV3114R

November 2006FJV3114RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJV4114REqivalent CircuitC3R34 2BESOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv3111r.pdf pdf_icon

FJV3114R

FJV3111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV4111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR31RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:55K  fairchild semi
 fjv3115r.pdf pdf_icon

FJV3114R

FJV3115RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R35BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.3. Size:52K  fairchild semi
 fjv3110r.pdf pdf_icon

FJV3114R

FJV3110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV4110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR30RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV3106R , FJV3107R , FJV3108R , FJV3109R , FJV3110R , FJV3111R , FJV3112R , FJV3113R , 2SC2240 , FJV3115R , FJV4101R , FJV4102R , FJV4103R , FJV4104R , FJV4105R , FJV4106R , FJV4107R .

 

 
Back to Top

 


 
.