FJV4106R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJV4106R

Маркировка: R76

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FJV4106R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV4106R даташит

 ..1. Size:89K  fairchild semi
 fjv4106r.pdf pdf_icon

FJV4106R

FJV4106R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=10K , R2=47K ) Complement to FJV3106R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R76 B R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise note

 8.1. Size:52K  fairchild semi
 fjv4109r.pdf pdf_icon

FJV4106R

FJV4109R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to FJV3109R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R79 R B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parame

 8.2. Size:56K  fairchild semi
 fjv4107r.pdf pdf_icon

FJV4106R

FJV4107R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to FJV3107R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R77 B R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise note

 8.3. Size:56K  fairchild semi
 fjv4103r.pdf pdf_icon

FJV4106R

FJV4103R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=22K ) Complement to FJV3103R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R73 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJV3113R, FJV3114R, FJV3115R, FJV4101R, FJV4102R, FJV4103R, FJV4104R, FJV4105R, 2N2907, FJV4107R, FJV4108R, FJV4109R, FJV4110R, FJV4111R, FJV4112R, FJV4113R, FJV4114R