FJV4113R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJV4113R

Маркировка: R83

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FJV4113R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV4113R даташит

 ..1. Size:46K  fairchild semi
 fjv4113r.pdf pdf_icon

FJV4113R

FJV4113R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJV3113R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R83 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise note

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv4112r.pdf pdf_icon

FJV4113R

FJV4112R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJV3112R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R R82 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:45K  fairchild semi
 fjv4111r.pdf pdf_icon

FJV4113R

FJV4111R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJV3111R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R R81 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.3. Size:52K  fairchild semi
 fjv4110r.pdf pdf_icon

FJV4113R

FJV4110R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJV3110R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R R80 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJV4105R, FJV4106R, FJV4107R, FJV4108R, FJV4109R, FJV4110R, FJV4111R, FJV4112R, D882P, FJV4114R, FJV42MTF, FJV992, FJX1182, FJX2222A, FJX2907A, FJX3001R, FJX3002R