Биполярный транзистор FJV4113R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJV4113R
Маркировка: R83
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-23
FJV4113R Datasheet (PDF)
fjv4113r.pdf
FJV4113RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJV3113R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR83R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note
fjv4112r.pdf
FJV4112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV3112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR82 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjv4111r.pdf
FJV4111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV3111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR81 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjv4110r.pdf
FJV4110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV3110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR80 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjv4114r.pdf
FJV4114RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJV3114R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR84R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050