Справочник транзисторов. FJV4114R

 

Биполярный транзистор FJV4114R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV4114R
   Маркировка: R84
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV4114R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV4114R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  fairchild semi
 fjv4114r.pdf pdf_icon

FJV4114R

FJV4114RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJV3114R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR84R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv4112r.pdf pdf_icon

FJV4114R

FJV4112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV3112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR82 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:45K  fairchild semi
 fjv4111r.pdf pdf_icon

FJV4114R

FJV4111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV3111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR81 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.3. Size:46K  fairchild semi
 fjv4113r.pdf pdf_icon

FJV4114R

FJV4113RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJV3113R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR83R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV4106R , FJV4107R , FJV4108R , FJV4109R , FJV4110R , FJV4111R , FJV4112R , FJV4113R , BD136 , FJV42MTF , FJV992 , FJX1182 , FJX2222A , FJX2907A , FJX3001R , FJX3002R , FJX3003R .

 

 
Back to Top

 


 
.