Справочник транзисторов. 2N6320

 

Биполярный транзистор 2N6320 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N6320
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6320

 

 

2N6320 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:150K  jmnic
2n6326 2n6327 2n6328.pdf

2N6320 2N6320

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(

 9.2. Size:22K  microsemi
2n6328.pdf

2N6320

 9.3. Size:21K  microsemi
2n6329.pdf

2N6320

 9.4. Size:183K  inchange semiconductor
2n6322.pdf

2N6320 2N6320

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6322DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and high-speed switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 9.5. Size:117K  inchange semiconductor
2n6326 2n6327 2n6328.pdf

2N6320 2N6320

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6326 2N6327 2N6328 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain APPLICATIONS Designed for audio amplifier and switching circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute

 9.6. Size:219K  inchange semiconductor
2n6329.pdf

2N6320 2N6320

isc Silicon PNP Power Transistor 2N6329DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-60V(Min)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust devicePerformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier and switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)UNISYMBOL PARAMETER VALUETV Collector-Base Voltage -60 VCBOV Collector-Emitter Voltage -6

Другие транзисторы... 2N6312 , 2N6313 , 2N6314 , 2N6315 , 2N6317 , 2N6318 , 2N6319 , 2N632 , BC547 , 2N6321 , 2N6322 , 2N6323 , 2N6324 , 2N6325 , 2N6326 , 2N6327 , 2N6328 .

 

 
Back to Top