Справочник транзисторов. FJX3012R

 

Биполярный транзистор FJX3012R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJX3012R
   Маркировка: S12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для FJX3012R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX3012R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  fairchild semi
 fjx3012r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3012RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJX4012R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCS12RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.1. Size:33K  fairchild semi
 fjx3013r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3013RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to FJX4013R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1S13BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not

 8.2. Size:32K  fairchild semi
 fjx3011r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3011RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJX4011R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCS11RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:38K  fairchild semi
 fjx3010r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3010RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJX4010R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCS10RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJX3004R , FJX3005R , FJX3006R , FJX3007R , FJX3008R , FJX3009R , FJX3010R , FJX3011R , TIP41 , FJX3013R , FJX3014R , FJX3015R , FJX3904 , FJX3906 , FJX4001R , FJX4002R , FJX4003R .

 

 
Back to Top

 


 
.