FJX3012R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJX3012R

Маркировка: S12

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для FJX3012R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX3012R даташит

 ..1. Size:32K  fairchild semi
 fjx3012r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3012R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJX4012R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C S12 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.1. Size:33K  fairchild semi
 fjx3013r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3013R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to FJX4013R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 S13 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise not

 8.2. Size:32K  fairchild semi
 fjx3011r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3011R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJX4011R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C S11 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:38K  fairchild semi
 fjx3010r.pdf pdf_icon

FJX3012R

FJX3010R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJX4010R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C S10 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJX3004R, FJX3005R, FJX3006R, FJX3007R, FJX3008R, FJX3009R, FJX3010R, FJX3011R, 2N5401, FJX3013R, FJX3014R, FJX3015R, FJX3904, FJX3906, FJX4001R, FJX4002R, FJX4003R