FJX3014R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJX3014R

Маркировка: S14

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для FJX3014R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX3014R даташит

 ..1. Size:34K  fairchild semi
 fjx3014r.pdf pdf_icon

FJX3014R

FJX3014R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to FJX4014R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 S14 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise not

 8.1. Size:33K  fairchild semi
 fjx3013r.pdf pdf_icon

FJX3014R

FJX3013R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K , R2=47K ) Complement to FJX4013R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 S13 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise not

 8.2. Size:32K  fairchild semi
 fjx3011r.pdf pdf_icon

FJX3014R

FJX3011R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJX4011R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C S11 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:38K  fairchild semi
 fjx3010r.pdf pdf_icon

FJX3014R

FJX3010R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJX4010R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C S10 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJX3006R, FJX3007R, FJX3008R, FJX3009R, FJX3010R, FJX3011R, FJX3012R, FJX3013R, BC548, FJX3015R, FJX3904, FJX3906, FJX4001R, FJX4002R, FJX4003R, FJX4004R, FJX4005R