Биполярный транзистор FJX3906 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJX3906
Маркировка: S2A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
FJX3906 Datasheet (PDF)
fjx3906.pdf
FJX39063General Purpose Transistor21SOT-323PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCES Collector-Emitter Voltage -40 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -200 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage
fjx3904.pdf
January 2007FJX3904NPN Epitaxial Silicon Transistor General Purpose Transistor 3 21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCES Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 200 mAPC Collector Power Dissipation 350
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050