Справочник транзисторов. FJX4013R

 

Биполярный транзистор FJX4013R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJX4013R
   Маркировка: S63
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для FJX4013R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX4013R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 fjx4013r.pdf pdf_icon

FJX4013R

FJX4013RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJX3013R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS63R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note

 8.1. Size:32K  fairchild semi
 fjx4011r.pdf pdf_icon

FJX4013R

FJX4011RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJX3011R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS61 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:39K  fairchild semi
 fjx4010r.pdf pdf_icon

FJX4013R

FJX4010RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJX3010R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS60 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.3. Size:33K  fairchild semi
 fjx4014r.pdf pdf_icon

FJX4013R

FJX4014RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJX3014R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS64R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJX4005R , FJX4006R , FJX4007R , FJX4008R , FJX4009R , FJX4010R , FJX4011R , FJX4012R , BC557 , FJX4014R , FJX733 , 2SB1334A , FJY3001R , FJY3002R , FJY3003R , FJY3004R , FJY3005R .

History: 2SC645Z | BFR24 | 2SC3142J4 | MRF492 | MMUN2241LT1G | MMUN2240L | DSS4160U

 

 
Back to Top

 


 
.