Справочник транзисторов. FJY4010R

 

Биполярный транзистор FJY4010R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJY4010R
   Маркировка: S60
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-523F
 

 Аналог (замена) для FJY4010R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJY4010R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  fairchild semi
 fjy4010r.pdf pdf_icon

FJY4010R

July 2007FJY4010RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJY3010REquivalent CircuitC CS60 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collect

 8.1. Size:243K  fairchild semi
 fjy4012r.pdf pdf_icon

FJY4010R

July 2007FJY4012RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJY3012REquivalent CircuitC CS62 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collect

 8.2. Size:251K  fairchild semi
 fjy4013r.pdf pdf_icon

FJY4010R

July 2007FJY4013RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJY3013REquivalent CircuitC CS63 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V

 8.3. Size:251K  fairchild semi
 fjy4014r.pdf pdf_icon

FJY4010R

July 2007FJY4014RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJY3014REquivalent CircuitC CS64 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJY4002R , FJY4003R , FJY4004R , FJY4005R , FJY4006R , FJY4007R , FJY4008R , FJY4009R , A1013 , FJY4011R , FJY4012R , FJY4013R , FJY4014R , FJYF2906 , FMB100 , FMB200 , FMB5551 .

History: BF421L | GC372 | 2SC5196 | SE1730 | FPA720 | BUW12A | J13007-1A-H1

 

 
Back to Top

 


 
.