FJY4011R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJY4011R

Маркировка: S61

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-523F

 Аналоги (замена) для FJY4011R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJY4011R даташит

 ..1. Size:243K  fairchild semi
 fjy4011r.pdf pdf_icon

FJY4011R

July 2007 FJY4011R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJY3011R Equivalent Circuit C C S61 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collect

 8.1. Size:243K  fairchild semi
 fjy4012r.pdf pdf_icon

FJY4011R

July 2007 FJY4012R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJY3012R Equivalent Circuit C C S62 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collect

 8.2. Size:245K  fairchild semi
 fjy4010r.pdf pdf_icon

FJY4011R

July 2007 FJY4010R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJY3010R Equivalent Circuit C C S60 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collect

 8.3. Size:251K  fairchild semi
 fjy4013r.pdf pdf_icon

FJY4011R

July 2007 FJY4013R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJY3013R Equivalent Circuit C C S63 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJY4003R, FJY4004R, FJY4005R, FJY4006R, FJY4007R, FJY4008R, FJY4009R, FJY4010R, 8550, FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B