Биполярный транзистор FJY4013R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJY4013R
Маркировка: S63
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-523F
FJY4013R Datasheet (PDF)
fjy4013r.pdf
July 2007FJY4013RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJY3013REquivalent CircuitC CS63 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V
fjy4012r.pdf
July 2007FJY4012RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJY3012REquivalent CircuitC CS62 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collect
fjy4010r.pdf
July 2007FJY4010RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJY3010REquivalent CircuitC CS60 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collect
fjy4014r.pdf
July 2007FJY4014RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJY3014REquivalent CircuitC CS64 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V
fjy4011r.pdf
July 2007FJY4011RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJY3011REquivalent CircuitC CS61 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collect
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
