Биполярный транзистор FMB5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMB5551
Маркировка: 3S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSOT-6
FMB5551 Datasheet (PDF)
fmb5551.pdf
FMB5551C2NPN General Purpose AmplifierE1C1SuperSOT-6 Surface Mount Package This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. B2E2 Sourced from process 16. B1pin #1 See MMBT5551 for characteristics.SuperSOTTM-6Mark: .3SDot denotes pin #1Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise notedSymbol Pa
fmb5551.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
