FMB5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMB5551

Маркировка: 3S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMB5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMB5551 даташит

 ..1. Size:70K  fairchild semi
 fmb5551.pdf pdf_icon

FMB5551

FMB5551 C2 NPN General Purpose Amplifier E1 C1 SuperSOT-6 Surface Mount Package This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. B2 E2 Sourced from process 16. B1 pin #1 See MMBT5551 for characteristics. SuperSOTTM-6 Mark .3S Dot denotes pin #1 Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Pa

 ..2. Size:186K  onsemi
 fmb5551.pdf pdf_icon

FMB5551

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: FJY4010R, FJY4011R, FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, S9013, FMB857B, FMBA06, FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549