FMBA06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMBA06

Маркировка: 1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBA06

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBA06 даташит

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 fmba06.pdf pdf_icon

FMBA06

FMBA06 C2 E1 C1 B2 E2 B1 pin #1 SuperSOT -6 Mark .1G Dot denotes pin #1 NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector

Другие транзисторы: FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B, D880, FMBA14, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06