FMBA14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMBA14

Маркировка: 1N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBA14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBA14 даташит

 ..1. Size:54K  fairchild semi
 fmba14.pdf pdf_icon

FMBA14

FMBA14 C2 E1 C1 B2 E2 pin #1 B1 SuperSOT -6 Mark .1N Dot denotes pin #1 NPN Multi-Chip Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Col

Другие транзисторы: FJY4013R, FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B, FMBA06, 13005, FMBA56, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56