Биполярный транзистор FMBSA06 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMBSA06
Маркировка: 1G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SSOT-6
FMBSA06 Datasheet (PDF)
fmbsa06.pdf
FMBSA06NCNPN General Purpose AmplifierC1 This device is designed for general purpose amplifier applications at Ecollector currents to 300 mA. Sourced from Process 12.BCCpin #1SuperSOTTM-6 singleMark: .1G1Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 80 V
fmbsa56.pdf
FMBSA56NCPNP General Purpose AmplifierC1 This device is designed for general purpose amplifier applications at Ecollector currents to 300 mA. Sourced from Process 73.BCCpin #1SuperSOTTM-6 singleMark: .2G1Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -80 VVCBO Collector-Base Voltage -80
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050