Справочник транзисторов. FPN530

 

Биполярный транзистор FPN530 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FPN530
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-226
 

 Аналог (замена) для FPN530

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  fairchild semi
fpn530.pdfpdf_icon

FPN530

FPN530FPN530ATO-226CBENPN Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.Sourced from Process NC.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base

Другие транзисторы... FMBS549 , FMBS5551 , FMBSA06 , FMBSA56 , FPN330 , FPN330A , FPN430 , FPN430A , 2SA1015 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , FPN660 , FPN660A , FPNH10 .

History: KSC2751Y | BCW60DLT1 | KT209E | NSP595 | TMPT6429 | TMPA811C5 | BFR360F

 

 
Back to Top

 


 
.