Биполярный транзистор FPN530 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FPN530
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-226
Аналог (замена) для FPN530
FPN530 Datasheet (PDF)
fpn530.pdf

FPN530FPN530ATO-226CBENPN Low Saturation TransistorThese devices are designed for high current gain and lowsaturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.Sourced from Process NC.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base
Другие транзисторы... FMBS549 , FMBS5551 , FMBSA06 , FMBSA56 , FPN330 , FPN330A , FPN430 , FPN430A , 2SA1015 , FPN530A , FPN560 , FPN560A , FPN630 , FPN630A , FPN660 , FPN660A , FPNH10 .
History: KSC2751Y | BCW60DLT1 | KT209E | NSP595 | TMPT6429 | TMPA811C5 | BFR360F
History: KSC2751Y | BCW60DLT1 | KT209E | NSP595 | TMPT6429 | TMPA811C5 | BFR360F



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent