FPN530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FPN530

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для FPN530

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FPN530 даташит

 ..1. Size:47K  fairchild semi
 fpn530.pdf pdf_icon

FPN530

FPN530 FPN530A TO-226 C B E NPN Low Saturation Transistor These devices are designed for high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous. Sourced from Process NC. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы: FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56, FPN330, FPN330A, FPN430, FPN430A, BC639, FPN530A, FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, FPN660, FPN660A, FPNH10