FSB619. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSB619

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23

 Аналоги (замена) для FSB619

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB619 даташит

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 fsb619.pdf pdf_icon

FSB619

Discrete Power & Signal Technologies July 1998 FSB619 C E B SuperSOTTM-3 (SOT-23) NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB619 Units 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VCBO

Другие транзисторы: FPN560A, FPN630, FPN630A, FPN660, FPN660A, FPNH10, FSB560, FSB560A, MJE350, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749, FSBCW30, FTM3725, FZT3019