FTM3725. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTM3725

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOIC-16

 Аналоги (замена) для FTM3725

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTM3725 даташит

 ..1. Size:71K  fairchild semi
 ftm3725.pdf pdf_icon

FTM3725

FTM3725 B4 NPN Transistor E4 B4 E3 This device is designed for high current, low impedance line driver B2 E2 applications. B1 C4 E1 Sourced from process 26. C4 C4 C3 C2 C2 C1 C1 SOIC-16 Mark FTM3725 Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V VEBO E

Другие транзисторы: FSB560A, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749, FSBCW30, BD333, FZT3019, KSA1015, KSA1203, KSA1281, KSA1625, KSB1116S, KSB798, KSC1815