KSB1116S - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSB1116S
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для KSB1116S
KSB1116S - технические параметры
ksb1116s.pdf
KSB1116S Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current (DC) -1 A ICP * Collector Curren
ksb1116 a.pdf
KSB1116/1116A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSD1616/1616A TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage KSB1116 -60 V KSB1116A -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSB1116 -50 V KSB111
ksb1121.pdf
July 2005 KSB1121 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity Fast Switching Speed Complement to KSD1621 Marking 1 1 2 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Pa
ksb1149.pdf
KSB1149 Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C High DC Current Gain High Power Dissipation PC=1.3W (Ta=25 C) TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEB
Другие транзисторы... FSB749 , FSBCW30 , FTM3725 , FZT3019 , KSA1015 , KSA1203 , KSA1281 , KSA1625 , BD139 , KSB798 , KSC1815 , KSC2001 , KSC2330A , KSC2784 , KSC2881 , KSC2883 , KSC5019 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor








