KSB1116S - описание и поиск аналогов

 

KSB1116S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSB1116S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для KSB1116S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1116S - технические параметры

 ..1. Size:52K  fairchild semi
ksb1116s.pdfpdf_icon

KSB1116S

KSB1116S Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current (DC) -1 A ICP * Collector Curren

 7.1. Size:52K  fairchild semi
ksb1116 a.pdfpdf_icon

KSB1116S

KSB1116/1116A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSD1616/1616A TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage KSB1116 -60 V KSB1116A -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSB1116 -50 V KSB111

 9.1. Size:430K  fairchild semi
ksb1121.pdfpdf_icon

KSB1116S

July 2005 KSB1121 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity Fast Switching Speed Complement to KSD1621 Marking 1 1 2 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Pa

 9.2. Size:46K  fairchild semi
ksb1149.pdfpdf_icon

KSB1116S

KSB1149 Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C High DC Current Gain High Power Dissipation PC=1.3W (Ta=25 C) TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEB

Другие транзисторы... FSB749 , FSBCW30 , FTM3725 , FZT3019 , KSA1015 , KSA1203 , KSA1281 , KSA1625 , BD139 , KSB798 , KSC1815 , KSC2001 , KSC2330A , KSC2784 , KSC2881 , KSC2883 , KSC5019 .

 

 
Back to Top

 


 
.