Биполярный транзистор KST3906
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST3906
Маркировка: 2A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
SOT-23
Аналоги (замена) для KST3906
KST3906
Datasheet (PDF)
..1. Size:107K fairchild semi
kst3906.pdf September 2010KST3906PNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures General Purpose Transistor3Marking22ASOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -40 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -200 mAPC Collec
..2. Size:47K samsung
kst3906.pdf KST3906 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorELECTRI
..3. Size:222K onsemi
kst3906.pdf Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
8.1. Size:55K fairchild semi
kst3904.pdf KST39043General Purpose Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 200 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Temp
8.2. Size:47K samsung
kst3903.pdf KST3903/3904 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -60 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorEL
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.