KST5401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST5401

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для KST5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST5401 даташит

 ..1. Size:56K  fairchild semi
 kst5401.pdf pdf_icon

KST5401

KST5401 High Voltage Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage T

Другие транзисторы: KSC2881, KSC2883, KSC5019, KSC5042F, KSP5179, KSP94, KST3906, KST4125, TIP122, KST5551, MAT02, MMBT2222AK, PN2369A, MMBT2369A, MMBT2907AK, MMBT3702, MMBT3904K