NZT660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NZT660

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для NZT660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NZT660 даташит

 ..1. Size:296K  onsemi
 nzt660 nzt660a.pdf pdf_icon

NZT660

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.1. Size:429K  fairchild semi
 nzt660-a.pdf pdf_icon

NZT660

April 2005 NZT660/NZT660A PNP Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. 4 3 2 1 SOT-223 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter NZT660 NZT660A Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 60 V VCBO Collector-Bas

Другие транзисторы: MP4504, MPSW3725, NTE291, NTE292, NZT560, NZT560A, NZT605, NZT651, A940, NZT660A, NZT6714, TN6714A, NZT6715, TN6715A, NZT6717, TN6717A, NZT6726