PN3440. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PN3440

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92 SOT-54

 Аналоги (замена) для PN3440

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN3440 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 pn3439 pn3440 3.pdf pdf_icon

PN3440

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PN3439; PN3440 NPN high-voltage transistors 1997 Sep 04 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 17 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors PN3439; PN3440 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max.

Другие транзисторы: NZT6728, TN6728A, NZT6729, TN6729A, NZT749, NZT751, NZT753, PN3439, A1013, PU3117, PUA3117, PUA3228, PZTA29, SD1391, SD1398, SJ5436, SJ5437