TN5415A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TN5415A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для TN5415A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5415A даташит

 ..1. Size:25K  fairchild semi
 tn5415a.pdf pdf_icon

TN5415A

Discrete POWER & Signal Technologies TN5415A TO-226 C B E PNP High Voltage Amplifier This device is designed for use as high voltage drivers requiring collector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. See MPSA92 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 200 V V Collector-Base Vo

Другие транзисторы: SJ5436, SJ5437, SJ5439, STS8550, TN3019A, TN3440A, TN4033A, TN5320A, 2SC2240, TN6705A, TN6707A, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, ZTX749A