Справочник транзисторов. TN5415A

 

Биполярный транзистор TN5415A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TN5415A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-226
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TN5415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  fairchild semi
 tn5415a.pdf pdf_icon

TN5415A

Discrete POWER & SignalTechnologiesTN5415ATO-226CBEPNP High Voltage AmplifierThis device is designed for use as high voltage drivers requiringcollector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. SeeMPSA92 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 200 VV Collector-Base Vo

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC557BTF | L2SA1774QT3G | HA9531 | BSX59 | 2SC4977 | RS7628 | T2062

 

 
Back to Top

 


 
.