Справочник транзисторов. TN5415A

 

Биполярный транзистор TN5415A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TN5415A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-226
 

 Аналог (замена) для TN5415A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5415A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  fairchild semi
 tn5415a.pdf pdf_icon

TN5415A

Discrete POWER & SignalTechnologiesTN5415ATO-226CBEPNP High Voltage AmplifierThis device is designed for use as high voltage drivers requiringcollector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. SeeMPSA92 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 200 VV Collector-Base Vo

Другие транзисторы... SJ5436 , SJ5437 , SJ5439 , STS8550 , TN3019A , TN3440A , TN4033A , TN5320A , D882P , TN6705A , TN6707A , TN6716A , TN6718A , TN6719A , TN6725A , TN6727A , ZTX749A .

History: SS8550LT1

 

 
Back to Top

 


 
.