Биполярный транзистор TN6727A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TN6727A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO-226
TN6727A Datasheet (PDF)
tn6727a.pdf
TN6727AC TO-226 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1A. Sourced from Process 77. See TN6726A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units40 VVCES Collector-Emitter Voltage50 VVCBO Collector-Base V
tn6725a.pdf
Discrete Power & Signal Technologies TN6725AC TO-226 B E NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units50 VVCES Collector-Emitter Voltage
tn6728a nzt6728.pdf
TN6728ANZT6728CEECBTO-226CB SOT-223EPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose medium poweramplifiers and switches requiring collector currents to 1.0 A.Sourced from Process 78.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 60 V
tn6729a nzt6729.pdf
TN6729A NZT6729CECBTO-226CB SOT-223EPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose medium poweramplifiers and switches requiring collector currents to 800mA. Sourced from Process 79.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VV
tn6726a nzt6726.pdf
TN6726A NZT6726CECBTO-226CB SOT-223EPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose medium poweramplifiers and switches requiring collector currents to 1.0 A.Sourced from Process 77.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050