STA3250F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STA3250F
Маркировка: HW1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 215 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT-89
Аналоги (замена) для STA3250F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STA3250F даташит
sta3250f.pdf
STA3250F PNP Silicon Transistor Applications Power amplifier application High current switching application Emitter 3 Base Features 1 Low saturation voltage V =-0.15V Typ @ I =-1A, I =-50mA CE(sat) C B Collector 2,4 Large collector current capacity I =-2A C Small and compact SMD type package SOT-89 Complementary pair with STC4250F Orde
sta3250q.pdf
STA3250Q PNP Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Low saturation voltage VCE(sat)=-0.15V Typ. @ IC=-1A, IB=-50mA Large collector current capacity IC=-2A Small and compact SMD type package SOT-223 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STA3250Q SOT-223 S
sta3250d.pdf
STA3250D PNP Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Low saturation voltage VCE(sat)=-0.15V Typ. @ IC=-1A, IB=-50mA Large collector current capacity IC=-2A TO-252 Small and compact SMD type package Green device and RoHS compliant device Available in full
sta322a.pdf
PNP General purpose STA322A External dimensions STA (8-pin) C Absolute maximum ratings Electrical characteristics (Ta=25 C) (Ta=25 C) Specification Symbol Ratings Unit Symbol Unit Conditions min typ max VCBO 50 V ICBO 10 AVCB= 50V VCEO 50 V IEBO 10 AVEB= 8V VEBO 5V VCEO 50 V IC= 25mA IC 3A hFE 100 350 VCE= 4V, IC= 1A ICP 5 (PW 1
Другие транзисторы: KN4L4Z, KN4F3M, KN4F3P, KN4F3R, KN4A4L, KN4L4K, STA3073F, STA3250D, 2SC4793, STA3250Q, STA3350D, STA3350F, STA3350L, STA3350PI, STA3350Q, STA3360PI, STA723D
History: BLX76
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor




