Справочник транзисторов. 2N6354A

 

Биполярный транзистор 2N6354A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6354A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N6354A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6354A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:97K  1
 2n6354 2n6496.pdf pdf_icon

2N6354A

 8.2. Size:149K  jmnic
 2n6354.pdf pdf_icon

2N6354A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6354 DESCRIPTION With TO-3 package Excellent safe operating area Fast switching speed Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS For switching applications in military and industrial equipment PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and

 8.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6354.pdf pdf_icon

2N6354A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6354 DESCRIPTION With TO-3 package Excellent safe operating area Fast switching speed Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS For switching applications in military and industrial equipment PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N6347 , 2N634A , 2N635 , 2N6350 , 2N6351 , 2N6352 , 2N6353 , 2N6354 , 2SD1047 , 2N6355 , 2N6356 , 2N6357 , 2N6358 , 2N6359 , 2N635A , 2N636 , 2N6360 .

History: MJE13001AT | 2N6352 | BC859B | 2N6197

 

 
Back to Top

 


 
.