2N6354A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6354A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6354A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6354A даташит

 8.1. Size:97K  1
 2n6354 2n6496.pdf pdf_icon

2N6354A

 8.2. Size:149K  jmnic
 2n6354.pdf pdf_icon

2N6354A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6354 DESCRIPTION With TO-3 package Excellent safe operating area Fast switching speed Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS For switching applications in military and industrial equipment PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and

 8.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6354.pdf pdf_icon

2N6354A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6354 DESCRIPTION With TO-3 package Excellent safe operating area Fast switching speed Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS For switching applications in military and industrial equipment PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6347, 2N634A, 2N635, 2N6350, 2N6351, 2N6352, 2N6353, 2N6354, 2N2222A, 2N6355, 2N6356, 2N6357, 2N6358, 2N6359, 2N635A, 2N636, 2N6360