DN050S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DN050S

Маркировка: N02

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DN050S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DN050S даташит

 ..1. Size:266K  auk
 dn050s.pdf pdf_icon

DN050S

 9.1. Size:82K  rohm
 rdn050n20.pdf pdf_icon

DN050S

RDN050N20 Transistors 10V Drive Nch MOS FET RDN050N20 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel TO-220FN 10.0 4.5 3.2 2.8 MOS FET Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) Exellent resistance to damage from static electricity. 0.8 (1)Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 (2)Drain (1) (2) (3) (3)Source Application Switching

 9.2. Size:192K  auk
 dn050.pdf pdf_icon

DN050S

DN050 NPN Silicon Transistor Features PIN Connection Extremely low collector-to-emitter C saturation voltage ( VCE(SAT)=0.07V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP050 Switching Application. E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN050 DN050 TO-92 Absolute maximu

Другие транзисторы: BC858F, BC858U, BC858UF, DN030, DN030E, DN030S, DN030U, DN050, D882P, DN100, DN100S, DN200, DN200F, DN500, DN500F, DN500P, DP030