DN200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DN200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для DN200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DN200 даташит

 ..1. Size:171K  auk
 dn200.pdf pdf_icon

DN200

DN200 NPN Silicon Transistor Features PIN Connection Extremely low collector-to-emitter C saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP200 Switching Application E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN200 DN200 TO-92 Absolute maximum ra

 0.1. Size:281K  auk
 dn200f.pdf pdf_icon

DN200

DN200F NPN Silicon Transistor PIN Connection Features Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50 ) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP200F Switching Application SOT-89 Ordering Information Type NO. Marking Package Code N04 DN200F SOT-89 YWW 04 DEVICE CODE,

Другие транзисторы: DN030, DN030E, DN030S, DN030U, DN050, DN050S, DN100, DN100S, B647, DN200F, DN500, DN500F, DN500P, DP030, DP030E, DP030S, DP030U