Биполярный транзистор DN200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DN200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-92
DN200 Datasheet (PDF)
dn200.pdf
DN200NPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter Csaturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP200 Switching Application E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN200 DN200 TO-92 Absolute maximum ra
dn200f.pdf
DN200FNPN Silicon TransistorPIN Connection Features Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.2V Typ. @IC/IB=1A/50) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP200F Switching Application SOT-89 Ordering Information Type NO. Marking Package Code N04 DN200F SOT-89 YWW 04: DEVICE CODE,
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050