STS8050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS8050  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STS8050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STS8050 даташит

 ..1. Size:237K  auk
 sts8050.pdf pdf_icon

STS8050

STS8050 NPN Silicon Transistor Descriptions PIN Connection High current application C Radio in class B push-pull operation B Feature E Complementary pair with STS8550 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS8050 STS8050 TO-92 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 30 V C

Другие транзисторы: STN3904S, STN3904SF, STN3906, STN3906S, STS1979, STS1980, STS5343, STS733, 2N5551, STS9012, STS9013, STS9014, STS9015, STS9018, SUT041N, SUT093N, SUT101N