Справочник транзисторов. 13002AH

 

Биполярный транзистор 13002AH Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 13002AH
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-251 TO-126 TO-92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

13002AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  utc
13002ah.pdfpdf_icon

13002AH

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13002AH Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13002AH is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTCs advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 130

 0.1. Size:365K  sisemi
mje13002aht.pdfpdf_icon

13002AH

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE / MJE SERIES TRANSISTORS MJE13002AHTNPN MJE / MJE SERIES TRANSISTORS MJE13002AHTNPN MJE

 0.2. Size:445K  sisemi
mje13002aht 1.pdfpdf_icon

13002AH

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13002AHTNPN MJE / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13002AHT

 8.1. Size:65K  philips
phe13002au 1.pdfpdf_icon

13002AH

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor PHE13002AU GENERAL DESCRIPTIONHigh-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT533 envelope intended foruse in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Col

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GES6224 | PN2222ABU | 2N1223 | 2N1377 | 16924 | 2SA1338-7 | MMBT5816

 

 
Back to Top

 


 
.