13002AH - описание и поиск аналогов

 

13002AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13002AH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-251 TO-126 TO-92

 Аналоги (замена) для 13002AH

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13002AH даташит

 ..1. Size:139K  utc
13002ah.pdfpdf_icon

13002AH

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13002AH Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13002AH is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC s advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 130

 0.1. Size:365K  sisemi
mje13002aht.pdfpdf_icon

13002AH

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN MJE / MJE SERIES TRANSISTORS MJE13002AHT NPN MJE / MJE SERIES TRANSISTORS MJE13002AHT NPN MJE

 0.2. Size:445K  sisemi
mje13002aht 1.pdfpdf_icon

13002AH

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN MJE / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13002AHT NPN MJE / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13002AHT

 8.1. Size:65K  philips
phe13002au 1.pdfpdf_icon

13002AH

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor PHE13002AU GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT533 envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VCESM Col

Другие транзисторы... SUT509EF , SUT510EF , SUT562EF , SUT575EF , 4124 , 4126 , 4128 , 5302 , MJE340 , 13003ADA , 13003BS , 13003DE , 13003DF , 13003DH , 13003DW , 13003EDA , 13005EC .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.