13003ADA - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

13003ADA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13003ADA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-251 TO-126 TO-92

Аналоги (замена) для 13003ADA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

13003ADA даташит

..1. Size:136K utc
13003ada.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC s advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1

7.1. Size:116K jdsemi
h13003ad 2.pdf pdf_icon