4126D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4126D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-251 TO-92 TO-126

 Аналоги (замена) для 4126D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4126D даташит

 ..1. Size:147K  utc
 4126d.pdf pdf_icon

4126D

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4126D NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 4126D is a middling voltage NPN power transistor. it uses UTC s advanced technology to provide customers with high switching speed and high reliability, etc. The UTC 4126D is suitable for commonly power amplifier circuit, electro

 0.1. Size:268K  vishay
 si4126dy.pdf pdf_icon

4126D

New Product Si4126DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 30 nC 0.0034 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-8 D SD 1 8 SD

Другие транзисторы: 13003EDA, 13005EC, 2SA1627A, 2SC5027E, 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 2SC2625, 4128D, 5302D, C6084, D4120P, D65H2, HJ44H11, MJE13001, MJE13001P