D4120P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D4120P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для D4120P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D4120P даташит

 ..1. Size:71K  utc
 d4120p.pdf pdf_icon

D4120P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D4120P Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC D4120P is a medium voltage fast-switching NPN power transistor. It is characterized by medium breakdown voltage, high current capability, high switching speed and high reliability. The UTC D4120P is intended to be used in energy-saving lig

 0.1. Size:705K  jilin sino
 3dd4120pl.pdf pdf_icon

D4120P

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD4120PL MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A C V 200V CEO P (TO-92/TO-92-F1) 1W C P (TO-126/TO-126S) 20W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts Electronic transformer

 9.1. Size:173K  aosemi
 aod4120.pdf pdf_icon

D4120P

AOD4120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 1.4 General Description Features The AOD4120 uses advanced trench technology and VDS (V) = 20V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 25A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
 aod4120.pdf pdf_icon

D4120P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4120 FEATURES Drain Current I = 25A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =20V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =18m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 4126D, 4128D, 5302D, C6084, TIP42, D65H2, HJ44H11, MJE13001, MJE13001P, MJE13002-E, MJE13003D, MJE13003DP, MJE13003-E