Справочник транзисторов. D4120P

 

Биполярный транзистор D4120P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: D4120P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для D4120P

 

 

D4120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  utc
d4120p.pdf

D4120P
D4120P

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D4120P Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC D4120P is a medium voltage fast-switching NPN power transistor. It is characterized by medium breakdown voltage, high current capability, high switching speed and high reliability. The UTC D4120P is intended to be used in energy-saving lig

 0.1. Size:705K  jilin sino
3dd4120pl.pdf

D4120P
D4120P

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R3DD4120PL MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A CV 200V CEOP (TO-92/TO-92-F1) 1W CP (TO-126/TO-126S) 20W C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts Electronic transformer

 9.1. Size:173K  aosemi
aod4120.pdf

D4120P
D4120P

AOD4120N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor1.4General Description FeaturesThe AOD4120 uses advanced trench technology and VDS (V) = 20Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 25A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 9.2. Size:265K  inchange semiconductor
aod4120.pdf

D4120P
D4120P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD4120FEATURESDrain Current I = 25A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =18m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top