USS4350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: USS4350

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-223 SOT-89

 Аналоги (замена) для USS4350

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

USS4350 даташит

 ..1. Size:166K  utc
 uss4350.pdf pdf_icon

USS4350

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS4350 NPN SILICON TRANSISTOR 50V, 3A NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC USS4350 is a low VCE (SAT) NPN transistor designed for applications, such as DC/DC converter, supply line switching, battery charger, linear voltage regulation, driver in low supply voltage applications and inductive load driver. FEATURES * Collector

Другие транзисторы: UP1851, UP1853, UP1855, UP1855A, UP1856, UP1868, UP2518, UP2855, TIP41C, USS4450, USS5350, UT2274, X1049A, 2SC2328A, 2SD882S, 8050S, D882SS