Справочник транзисторов. HE8051

 

Биполярный транзистор HE8051 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HE8051
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HE8051

 

 

HE8051 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  utc
he8051.pdf

HE8051
HE8051

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8051 NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8051 is a low voltage high current small signal NPN 1transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. TO-92 FEATURES * Collector current up to 1.5A * Collector-Emitte

 9.1. Size:19K  utc
he8050l.pdf

HE8051
HE8051

UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current smallsignal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2Waudio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to U

 9.2. Size:215K  utc
he8050.pdf

HE8051
HE8051

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltag

 9.3. Size:46K  hsmc
he8050.pdf

HE8051
HE8051

Spec. No. : HE6112HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.11.29MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8050NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class Bpush-pull operation.TO-92Features High total power dissipation (PT: 2W, TC=25C) High collector current (IC: 1.5A)

 9.4. Size:54K  hsmc
he8050s.pdf

HE8051
HE8051

Spec. No. : HE6110HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8050SNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8050S is designed for general purpose amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ...................................................................

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top