HE8051. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HE8051

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для HE8051

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HE8051 даташит

 ..1. Size:119K  utc
 he8051.pdf pdf_icon

HE8051

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8051 NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8051 is a low voltage high current small signal NPN 1 transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. TO-92 FEATURES * Collector current up to 1.5A * Collector-Emitte

 9.1. Size:19K  utc
 he8050l.pdf pdf_icon

HE8051

UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltage up to 25 V *Complimentary to U

 9.2. Size:215K  utc
 he8050.pdf pdf_icon

HE8051

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltag

 9.3. Size:46K  hsmc
 he8050.pdf pdf_icon

HE8051

Spec. No. HE6112 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2004.11.29 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HE8050 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Features High total power dissipation (PT 2W, TC=25 C) High collector current (IC 1.5A)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: USS4450, USS5350, UT2274, X1049A, 2SC2328A, 2SD882S, 8050S, D882SS, BC548, MMBT1815, MMBT9013, MMBT9014, MMBT945, MN2510, 2SA928A, 2SB772S, 8550S