MMBT1815. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT1815

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23 SOT-113 SOT-323 SOT-523 SOT-723

 Аналоги (замена) для MMBT1815

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT1815 даташит

 ..1. Size:230K  utc
mmbt1815.pdfpdf_icon

MMBT1815

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1815 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY NPN AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage BVCEO=50V * Collector Current up to 150mA * High hFE Linearity * Complement to MMBT1015 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 MMBT1815G-x-AC3-R SOT-113 E B C Tape Reel MMBT1815G-x-AE3-R S

 0.1. Size:243K  mcc
mmbt1815-h-l.pdfpdf_icon

MMBT1815

MMBT1815-L MCC Micro Commercial Components TM MMBT1815-H 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 NPN EPITAXIAL Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates SILICON TRANSISTOR RoHS Compliant. See ordering information) Collector-Emitter voltage BVCEO=50V Collector current up t

 9.1. Size:112K  motorola
mmbt1010 msd1010t1.pdfpdf_icon

MMBT1815

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT1010LT1/D MMBT1010LT1 Low Saturation Voltage MSD1010T1 Motorola Preferred Devices PNP Silicon Driver Transistors Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy PNP GENERAL in general purpose driver applicatio

 9.2. Size:185K  fairchild semi
mmbt100.pdfpdf_icon

MMBT1815

PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A NPN General Purpose Amplifier 3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10. 2 SOT-23 TO-92 1 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Mark N1/N1A Mark PN100/PN100A Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

Другие транзисторы: USS5350, UT2274, X1049A, 2SC2328A, 2SD882S, 8050S, D882SS, HE8051, TIP41, MMBT9013, MMBT9014, MMBT945, MN2510, 2SA928A, 2SB772S, 8550S, B772SS